NTCサーミスタチップを中心として、温度検出、温度补偿、温度制御回路などに様々なパッケージで构成されており、温度の変数を必要な电子信号の中核的な役割に転换させる。电子机器の高精度温度测定や温度制御の必要により、NTCサーミスタのＲ抵抗値、Ｂ定数の精度と安定性にますます强く要求されている。高精度測温応用を测る场合では温度制御精度は0.1℃を要求し、これはＲ抵抗値要求およびＢ定数の精度は0.3%内を統制、応用回路で使用後の电気性能（Ｒ抵抗値及びＢ定数）年ドリフト率は0.1%未満。

NTCサーミスタチップは一般に以下のプロセスフローを用いて製造:

半导体セラミック粉砕——成型——焼結ー電極焼成ー抵抗値検測。

このプロセス技術でセラミック粉体配合ことが確認された場合、単一NTCサーミスタチップの電気性能によって、製品の幾何学のサイズと焼結工芸電気性能に影響する。半導体のセラミック素材で受け焼結工芸パラメ-タ-の焼結温度、炉囲気などの条件の影響も大きいため、既存のNTCサーミスタチップで製造プロセス技術が存在した2つの明らかな不足：

1、抵抗値の精度が低い。既存の技術で作られた製品の電気性能は焼結技術に固形化し、焼結、焼滲電極の後抵抗値が分散して調節できない。量産中のR 25の抵抗値の精度は±5 %以内で、B値（ＮＴＣサーミスタ抵抗の材料常数）が±3 %で、高精度の要求を満たすことができない。

2、安定性が悪い。製造後の電力抵抗チップの電極間の半導体陶磁器の露出は、潮の空気、塩霧、空気の酸化、腐食性ガスなどの悪質な環境の中で、半導体陶磁器と金属電極間の老化を引き起こしやすく、電気性能のドリフトを形成しています。電気性能は、高温老朽化1000時間後のドリフト量は3 %に達し、これは高精度測定の場合に要求されたR電の制限値とB値0.3 %の精度要求を両方に超えている。

高精度なＮＴＣサーミスタチップの製作方法を提供する（高精度ＮＴＣサーミタスチップの作成- 2）、高精度の抵抗値を実現することができ、高信頼性を持っている。この方法で生産された電力抵抗チップは、高精度製品（±0.3 %）の命中率が大幅に向上し、製品の安定性、高温負荷変化率、熱衝撃変化率が小さくなります。